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韩国制造出单层石墨烯上最薄半导体氧化物异质外延层-s10世界总决赛押注平台
时间:2021-05-04 来源:s10世界总决赛押注平台 浏览量 94474 次

【官方网站】据报道,韩国蔚山国家科学技术研究所(UNIST )最近推出了生产世界上最厚的氧化物半导体——的二维氧化锌(ZnO )的新生产方法。 这个半导体只有一个原子厚度的大小。 这可以将超小型传感器等具有厚度、半透明性、柔软性的电子器件应用于新的可能性的构筑。

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新的超薄氧化物半导体是由UNIST材料科学和工程教授ZonghoonLee教授领导的团队创立的。 该材料为了原子层沉积(ALD )需要在石墨烯上生长各个原子厚度的ZnO层。 也有人指出这是单层石墨烯上最厚的半导体氧化物的异质外延层。 Lee表示:“高灵活性的高性能设备对以往可佩戴的电子产品是不可或缺的。

有了这样的新材料,就可以实现可靠、高性能的柔性器件。 ”该团队认为,随着现有的硅生产技术变得更精细,性能成为更重要的问题,对下一代半导体替代硅的研究变多了。

石墨烯具有优异的导电特性,但不能用作电子产品中硅的替代物,因此不能使用。 但是,在石墨烯中,电子可以以一定的速度随机移动,不管它们的能量如何,它们都不会暂时停止。 为了解决这个问题,研究小组在insitu仔细观察,要求石墨烯上的ZnO单层的优先锯齿边缘显示锌、氧的原子和原子之间的生长。

然后,根据量子允许和石墨烯的“超强蜂窝”结构和低光学透明度,通过实验确认了最厚的ZnO单层具备宽带隙(高4.0eV )。 现有的氧化物半导体具有比较大的带隙,范围是2.9-3.5eV。 带隙能量越大,溢出电流和过剩噪声越低。 研究者说:“这是第一次切实观察ZnO六方结构的原位构成。

通过这个过程,我们可以理解二维ZnO半导体生产的过程和原理。 ”Lee说:“石墨烯上最厚的2D氧化物半导体的异质外延填充在与低光学透明性和柔软性相关的未来光伏元件的应用中具有潜力。 这项研究可以产生新的2D异质结构,也包括通过高度控制沉积路径的外延生长而构成的半导体氧化物。。

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